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852nm窄线宽半导体激光器问世

发布者:点击量:发布时间:2023-12-27

作者:沈春蕾 来源:中国科学报 发布时间:2023/12/27 11:31:26
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852nm窄线宽半导体激光器问世

 

近年来,围绕先进窄线宽半导体激光器及关键技术,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所大功率半导体激光器研究团队开展攻关。日前,该团队副研究员陈超副报道了一种基于外部光反馈结构的852nm窄线宽、线偏振半导体激光器。相关研究成果发表于《光学和激光技术》(Optics and Laser Technology)。

据了解,量子精密测量是利用光与原子相互作用的量子效应和技术,突破标准量子极限,以实现测量精度、灵敏度和稳定性全面超越经典测量手段的方法。该技术的关键是实现原子精细能级跃迁和量子态探测的窄线宽激光器。

此外,激光器的高偏振特性也是提升激光稳频系统和量子干涉系统性能,制约测量准确度和分辨率的决定因素。因此,兼具窄线宽和线偏振的窄线宽半导体激光器在量子精密测量领域备受关注。其中,用于Cs原子里德堡态制备的852nm窄线宽激光器是典型代表。

据介绍,激光器结构通过引入飞秒激光诱导的双折射Bragg光栅滤波器,并与高偏振相关性半导体增益芯片混合集成,利用偏振模式选择性反馈和注入锁定技术,实现了超过30dB偏振消光比和低至2.58kHz的高线偏振、窄线宽激光输出。该激光器可作为量子精密测量系统的潜在原子泵浦光源,并且基于前期在抗辐射、窄线宽激光器方面的研究基础,亦有希望用于空间环境中星载和箭载的冷原子量子实验系统。

相关论文信息:https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2023.110211

 
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